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Zellenelektrooptik-Elementaroperation Q Laser-System-Pockels Schalter

Bescheinigung
China ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd. zertifizierungen
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Zellenelektrooptik-Elementaroperation Q Laser-System-Pockels Schalter

Zellenelektrooptik-Elementaroperation Q Laser-System-Pockels Schalter
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Großes Bild :  Zellenelektrooptik-Elementaroperation Q Laser-System-Pockels Schalter

Produktdetails:
Herkunftsort: CHINA
Markenname: Crystro
Zertifizierung: SGS
Modellnummer: CRQSW-9
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1
Preis: Negotiable
Verpackung Informationen: Transparenter sauberer Kasten
Lieferzeit: 3-4 Wochen
Zahlungsbedingungen: T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 100 PC pro Woche
Ausführliche Produkt-Beschreibung
Produktname: LGS Elementaroperations-Q-Schalter Crystal Material: Langasite
Dichte: 5,75 g/cm3 Schmelzpunkt: °C 1470
Brechungskoeffizient: 1,89 Zerfließen: Nein
Widerstandskraft: 1.7×1010 Ω·cm Struktur: Trigonal; a=b=7.453Å, c=6.293Å
Markieren:

Elektrooptik-Schalter Elementaroperation Q

,

Schalter Pockels-Zellen-Elementaroperation Q

,

Schalter Pockel-Zellenq


 

 

 

 

Hohe Schaden-Schwellen-Galvano-Optik (Elementaroperation) Q-Schalter Pockels-Zelle für Laser-Systeme

 

 

 

 

LGS-Kristall hat eine breite Palette von Anwendungen: Zusätzlich zusätzlich zum Piezoeffekt und dem Effekt der optischen Rotation ist seine Galvano-Optikeffektleistung auch sehr überlegen. Hohe Wiederholungsrate, große klare Querschnittsöffnung, schmale Impulsbreite, hohe Leistung, Hochs und Tiefs-Temperatur, Kristallgalvano-optikq Schalter etc. LGS sind anwendbar. Wir verwenden den Galvano-Optikkoeffizienten γ11 LGS-Kristalles, um Q-Schalter herzustellen und ein größeres Längenverhältnis zu beschließen, um die Halbwellenspannung von Q-Schaltern zu verringern. Sie kann an der Galvano-Optikq-schaltung von Gesamt-festzustandslasern mit Wiederholungsrate der höheren Energie angewendet werden.

 

 

Eigenschaften:

  • Er-ansässig Q-Schalter LGS (Pockels-Zelle);
  • Für Wellenlängen bis 3.2μm;
  • Übertragene Wellenfront-Verzerrung: < l="">
  • Schadenschwelle: >900MW/cm2 (@1064nm, 10ns, typisches, garantiert nicht);
  • LGS verfügbar für mittlere Stromnetze, teilweise stattfinden von DKDP und von LiNbOQ-Schalter mit3 Reihen.

 

Haupteigenschaften:

 

Chemische Formel La3Ga5SiQ14
Crystal Structure Trigonal; a=b=7.453Å, c=6.293Å
Dichte 5,75 g/cm3
Schmelzpunkt °C 1470
Transparenz-Strecke 242 - 3200 Nanometer
Brechungskoeffizient 1,89
Galvano-Optikkoeffizienten γ41=1.8 pm/V, γ11=2.3 pm/V
Widerstandskraft 1.7×1010 Ω·cm
Zerfließen Nein
Thermische Expansions-Koeffizienten α11=5.15×10-6 /K (⊥Zachse); α33=3.65×10-6 /K (∥Zachse)

 

 

Produktdetails:

Zellenelektrooptik-Elementaroperation Q Laser-System-Pockels Schalter 0

Kontaktdaten
ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd.

Ansprechpartner: Zheng

Telefon: +86 18255496761

Faxen: 86-551-63840588

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