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Nichtlinearer optischer Zellen-Elementaroperation Q NLO-Material-LGS Pockels Schalter

Bescheinigung
China ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd. zertifizierungen
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Nichtlinearer optischer Zellen-Elementaroperation Q NLO-Material-LGS Pockels Schalter

Nichtlinearer optischer Zellen-Elementaroperation Q NLO-Material-LGS Pockels Schalter
Nichtlinearer optischer Zellen-Elementaroperation Q NLO-Material-LGS Pockels Schalter Nichtlinearer optischer Zellen-Elementaroperation Q NLO-Material-LGS Pockels Schalter Nichtlinearer optischer Zellen-Elementaroperation Q NLO-Material-LGS Pockels Schalter

Großes Bild :  Nichtlinearer optischer Zellen-Elementaroperation Q NLO-Material-LGS Pockels Schalter

Produktdetails:
Herkunftsort: CHINA
Markenname: Crystro
Zertifizierung: SGS
Modellnummer: CRQSW-1
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1
Preis: Negotiable
Verpackung Informationen: Transparenter sauberer Kasten
Lieferzeit: 3-4 Wochen
Zahlungsbedingungen: T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 100 PC pro Woche
Ausführliche Produkt-Beschreibung
NAME: LGS-Q-Schalter Chemische Formel: La3Ga5SiQ14
Dichte: 5,75 g/cm3 Schmelzpunkt: °C 1470
Brechungskoeffizient: 1,89 Zerfließen: Nein
Widerstandskraft: 1.7×1010 Ω·cm Kristallstruktur: Trigonal; a=b=7.453Å, c=6.293Å
Transparenz-Strecke: 242 - 3200 Nanometer Galvano-Optikkoeffizienten: γ41=1.8 pm/V, γ11=2.3 pm/V
Markieren:

Schalter NLO Elementaroperation Q

,

Nichtlinearer Schalter Pockels-Zellenq

,

Nichtlineare optische NLO-Materialien


 

 

 

Pockels-Zelle Q-Schalter nichtlinearer optischer Materialien (NLO) LGS Reihe Galvano-Optik (Elementaroperation)

 

Eine neue Art Elementaroperations-Q-Schalter ist mittels einen Kristall La3Ga5SiQ14 (LGS) entworfen. LGS-Kristall ist eine Art optisch aktives NLO-Material mit einer sehr hohen Schadenschwelle (ungefähr 9mal als die von LN), ausgezeichneter Elementaroperations-Koeffizient, die Hochtemperaturstabilität (besser als Quarz), der Q-Schalter basiert auf der Erwägung, dass der Gesamtrotationswinkel der Polarisationsfläche, während die polarisierte Welle durch die Pockels-Zelle hin und her fortpflanzt, wenn der Polarisationsflächendrehung und der Galvano-Optikeffekt gleichzeitig existieren null ist deshalb er in Elementaroperations-Komponenten wie Elementaroperations-Modulator, Q-Schalter, etc. weitverbreitet ist.

Der Reihenc$q-schalter LGS (LG-EO-Q) (Pockels-Zelle) ist ein praktisches Galvano-Optikgerät, das in den mittleren Ertragenergielasern benutzt werden kann, um den Ort von DKDP und von LiNbO teilweise zu nehmendie Q-Schalter mit3 Reihen.

 

Eigenschaften:

  • Er-ansässig Q-Schalter LGS (Pockels-Zelle);
  • Für Wellenlängen bis 3.2μm;
  • Übertragene Wellenfront-Verzerrung: < l="">
  • Schadenschwelle: >900MW/cm2 (@1064nm, 10ns, typisches, garantiert nicht);
  • LGS verfügbar für mittlere Stromnetze, teilweise stattfinden von DKDP und von LiNbOQ-Schalter mit3 Reihen.

 

Haupteigenschaften:

 

Chemische Formel La3Ga5SiQ14
Crystal Structure Trigonal; a=b=7.453Å, c=6.293Å
Dichte 5,75 g/cm3
Schmelzpunkt °C 1470
Transparenz-Strecke 242 - 3200 Nanometer
Brechungskoeffizient 1,89
Galvano-Optikkoeffizienten γ41=1.8 pm/V, γ11=2.3 pm/V
Widerstandskraft 1.7×1010 Ω·cm
Zerfließen Nein
Thermische Expansions-Koeffizienten α11=5.15×10-6 /K (⊥Zachse); α33=3.65×10-6 /K (∥Zachse)

 

Produktdetails:

Nichtlinearer optischer Zellen-Elementaroperation Q NLO-Material-LGS Pockels Schalter 0

Kontaktdaten
ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd.

Ansprechpartner: Chen Dongdong

Telefon: +86 18326013523

Faxen: 86-551-63840588

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