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NAME: | LGS-Q-Schalter | Chemische Formel: | La3Ga5SiQ14 |
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Dichte: | 5,75 g/cm3 | Schmelzpunkt: | °C 1470 |
Brechungskoeffizient: | 1,89 | Zerfließen: | Nein |
Widerstandskraft: | 1.7×1010 Ω·cm | Kristallstruktur: | Trigonal; a=b=7.453Å, c=6.293Å |
Transparenz-Strecke: | 242 - 3200 Nanometer | Galvano-Optikkoeffizienten: | γ41=1.8 pm/V, γ11=2.3 pm/V |
Markieren: | Elektrooptik-Schalter Elementaroperation Q,Elektrooptikq Schalter LGS,Schalter LGS Elementaroperation Q |
LGS-Reihenist Galvano-Optik (Elementaroperation) Q-Schalter Pockels-Zelle eine neue Art Elementaroperations-Q-Schalter, der mittels einen Kristall La3Ga5SiQ14 (LGS) entworfen ist. LGS-Kristall ist eine Art optisch Material mit einer sehr hohen Schadenschwelle (ungefähr 9mal als die von LN), ausgezeichneter Elementaroperations-Koeffizient, Hochtemperaturstabilität, die der Reihenc$q-schalter LGS (LG-EO-Q) (Pockels-Zelle) ein praktisches Galvano-Optikgerät, das in den mittleren Ertragenergielasern benutzt werden kann, um den Ort von DKDP teilweise zu nehmen, Reihenc$q-schalter RTPand LiNb03 ist.
Haupteigenschaften:
Chemische Formel | La3Ga5SiQ14 | |
Crystal Structure | Trigonal; a=b=7.453Å, c=6.293Å | |
Dichte | 5,75 g/cm3 | |
Schmelzpunkt | °C 1470 | |
Transparenz-Strecke | 242 - 3200 Nanometer | |
Brechungskoeffizient | 1,89 | |
Galvano-Optikkoeffizienten | γ41=1.8 pm/V, γ11=2.3 pm/V | |
Widerstandskraft | 1.7×1010 Ω·cm | |
Zerfließen | Nein | |
Thermische Expansions-Koeffizienten | α11=5.15×10-6 /K (⊥Zachse); α33=3.65×10-6 /K (∥Zachse) |
Produktdetails:
Ansprechpartner: Chen Dongdong
Telefon: +86 18326013523
Faxen: 86-551-63840588
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