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Produktdetails:
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| NAME: | LGS-Q-Schalter | Chemische Formel: | La3Ga5SiQ14 |
|---|---|---|---|
| Dichte: | 5.75g/cm3 | Schmelzpunkt: | °C 1470 |
| Zerfließen: | Nein | Brechungskoeffizient: | 1,89 |
| Widerstandskraft: | 1.7×1010 Ω·cm | Kristallstruktur: | Trigonal; a=b=7.453Å, c=6.293Å |
| Transparenz-Strecke: | 242-3200nm | Galvano-Optikkoeffizienten: | γ41=1.8 pm/V, γ11=2.3 pm/V |
| Markieren: | LGS Kristall-Schalter Elementaroperation Q,5,75 g/cm3 LGS Schalter Elementaroperation Q |
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Der Reihenc$q-schalter LGS (LG-EO-Q) (Pockels-Zelle) ist ein praktisches Galvano-Optikgerät, das in den mittleren Ertragenergielasern benutzt werden kann, um den Ort von DKDP und von LiNbO teilweise zu nehmendie Q-Schalter mit3 Reihen. Der Galvano-Optikq Schalter LGS führt Licht entlang der z-Richtung des Kristalles und wendet ein elektrisches Feld entlang der x-Richtung an, die vollen Gebrauch vom seitlichen Galvano-Optikeffekt des Kristalles machen kann, die Q-Schalterfunktion des LGS-Kristalles zu verwirklichen.
Haupteigenschaften:
| Chemische Formel | La3Ga5SiQ14 | |
| Crystal Structure | Trigonal; a=b=7.453Å, c=6.293Å | |
| Dichte | 5,75 g/cm3 | |
| Schmelzpunkt | °C 1470 | |
| Transparenz-Strecke | 242 - 3200 Nanometer | |
| Brechungskoeffizient | 1,89 | |
| Galvano-Optikkoeffizienten | γ41=1.8 pm/V, γ11=2.3 pm/V | |
| Widerstandskraft | 1.7×1010 Ω·cm | |
| Zerfließen | Nein | |
| Thermische Expansions-Koeffizienten | α11=5.15×10-6 /K (⊥Zachse); α33=3.65×10-6 /K (∥Zachse) | |
Produktdetails:
Ansprechpartner: Chen Dongdong
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Faxen: 86-551-63840588
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