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Eisen- elektrisches Lanthan-Aluminats-Oblaten-Substrat der Dünnfilm-LaAlO3

Bescheinigung
China ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd. zertifizierungen
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Eisen- elektrisches Lanthan-Aluminats-Oblaten-Substrat der Dünnfilm-LaAlO3

Eisen- elektrisches Lanthan-Aluminats-Oblaten-Substrat der Dünnfilm-LaAlO3
Eisen- elektrisches Lanthan-Aluminats-Oblaten-Substrat der Dünnfilm-LaAlO3 Eisen- elektrisches Lanthan-Aluminats-Oblaten-Substrat der Dünnfilm-LaAlO3 Eisen- elektrisches Lanthan-Aluminats-Oblaten-Substrat der Dünnfilm-LaAlO3

Großes Bild :  Eisen- elektrisches Lanthan-Aluminats-Oblaten-Substrat der Dünnfilm-LaAlO3

Produktdetails:
Herkunftsort: CHINA
Markenname: Crystro
Zertifizierung: SGS
Modellnummer: CRLAO-3
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1
Preis: Negotiable
Verpackung Informationen: Transparenter sauberer Kasten
Lieferzeit: 3-4 Wochen
Zahlungsbedingungen: T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 100 PC pro Woche
Ausführliche Produkt-Beschreibung
NAME: Lanthan-Aluminats-Kristall Chemische Formel: LaAlO3
Wachstumsmethode: Czochralski Kristallrichtung: <100> <110> <111>
Stärke: 0.5mm /1.0 Millimeter Polnisch: Einfach oder doppelt
Dichte: 6,52 (g/cm 3) Härte: 6-6.5 (mohs)
Schmelzpunkt (℃): 2080℃ Thermische Expansion: 9.4x10-6/℃
Markieren:

Lanthan-Aluminats-Oblaten-Substrat

,

Substrat der Oblaten-LaAlO3

,

Substrate des Dünnfilm-LaAlO3


 

 

Hochtemperatur-supraleitendes Substrat-Material LAO Substratess LaAlO3

 

 

Einleitung:

LaAIO3 ist ein supraleitendes einzelnes Kristallsubstrat der hohen Temperatur. Es ist ein ausgezeichnetes Substrat für Epitaxie von hohen Tc-Supraleiter-, magnetischen und ferroelectricDünnfilmen. Die dielektrischen Eigenschaften von LaAlO3, dasKristall ist, sindgutfürdämpfungsärmeMikrowelleunddielektrischeResonanzanwendungenpassend.

 

 

Hauptmerkmale:

  • gute chemische Stabilität
  • Gutes Gittermatch die meisten Materialien mit Perowskitstruktur
  • Niedrige Dielektrizitätskonstante
  • Niedriger Mikrowellenverlust

Anwendungen:

  • Supraleitende, magnetische und ferroelectric Dünnfilme der Hochtemperatur
  • Dämpfungsärme Mikrowellenanwendungen
  • Dielektrische Resonanzanwendungen

 

Materialeigenschaften:

Crystal Structure Kubik
Wachstums-Methode

Czochralski-Methode

Dichte

6,52 (g/cm3)

Schmelzpunkt 2080℃
Härte 6,5 Mohs

Thermische Expansion

9,2 × 10^-6

Dielektrizitätskonstanten

24

Sekantenverlust (10ghz)

| 3 × 10 -4 @ 300k, | 0,6 × 10 -4 @ 77k

Farbe und Auftritt

Transparent brünieren basiert auf Vergütungsbedingung

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Crystro bietet an:

Größe  Maximales Φ 76.2mm (3" Zoll)
Stärke 0.5mm /1.0 Millimeter
Polnisch Einfach oder doppelt
Crystal Orientation

<100> <110> <111>

Umlenkungspräzision

±0.5°

Umlenkung der Rand

2° (speziell in 1°)

Winkel von kristallenem

Sondergröße und Orientierung sind auf Anfrage verfügbar

Ra

≤5Å (5µm×5µm)

Satz

Class100 saubere Tasche, saubere Tasche der Klasse 1000

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Eisen- elektrisches Lanthan-Aluminats-Oblaten-Substrat der Dünnfilm-LaAlO3 0

Kontaktdaten
ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd.

Ansprechpartner: Zheng

Telefon: +86 18255496761

Faxen: 86-551-63840588

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