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Supraleitender einzelner Kristall LaAlO3 LAO Substrate der hohen Temperatur

Bescheinigung
China ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd. zertifizierungen
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Supraleitender einzelner Kristall LaAlO3 LAO Substrate der hohen Temperatur

Supraleitender einzelner Kristall LaAlO3 LAO Substrate der hohen Temperatur
Supraleitender einzelner Kristall LaAlO3 LAO Substrate der hohen Temperatur Supraleitender einzelner Kristall LaAlO3 LAO Substrate der hohen Temperatur Supraleitender einzelner Kristall LaAlO3 LAO Substrate der hohen Temperatur

Großes Bild :  Supraleitender einzelner Kristall LaAlO3 LAO Substrate der hohen Temperatur

Produktdetails:
Herkunftsort: CHINA
Markenname: Crystro
Zertifizierung: SGS
Modellnummer: CRLAO-2
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1
Preis: negotiable
Verpackung Informationen: Transparenter sauberer Kasten
Lieferzeit: 3-4 Wochen
Zahlungsbedingungen: T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 100 PC pro Woche
Ausführliche Produkt-Beschreibung
NAME: Lanthan-Aluminats-Kristall Chemische Formel: LaAlO3
Wachstumsmethode: Czochralski Dichte: 6,52 (g/cm 3)
Härte: 6-6.5 (mohs) Schmelzpunkt (℃): 2080℃
Thermische Expansion: 9.4x10-6/℃ Genehmigung: ε = 21
Verlusttangente (10ghz): | 3 × 10 -4 @ 300k, | 0,6 × 10 -4 @ 77k Farbe und Auftritt: von Braunem zu bräunlichem
Hervorheben:

Einzelner Kristall LaAlO3 LAO Substrate

,

Einzelner Crystal LAO Substrate

,

Substrate des einzelnen Kristall-LaAlO3


 

LAO Substrates LaAlO3 einzelner Crystal Substrates Material

 

1.Introduction:

LaAIO3 ist ein supraleitendes einzelnes Kristallsubstrat der hohen Temperatur. Es ist ein ausgezeichnetes Substrat für Epitaxie von hohen Tc-Supraleiter-, magnetischen und ferroelectricDünnfilmen. Die dielektrischen Eigenschaften von LaAlO3, dasKristall ist, sindgutfürdämpfungsärmeMikrowelleunddielektrischeResonanzanwendungenpassend.

 

Vorteile 2.Main:

  • Kleine Dielektrizitätskonstante;
  • breite Energielücke;
  • große spezifische Fläche;
  • bestimmte Tätigkeit;
  • gute Wärmebeständigkeit
  • niedriger dielektrischer Verlust;
  • gute Gitteranpassung;
  • kleiner Koeffizient der thermischen Expansion;
  • gute chemische Stabilität;

 

Eigenschaften 3.Material:

Crystal Structure Kubik
Wachstums-Methode

Czochralski-Methode

Dichte

6,52 (g/cm3)

Schmelzpunkt 2080℃
Härte 6,5 Mohs

Thermische Expansion

9,2 × 10^-6

Dielektrizitätskonstanten

24

Sekantenverlust (10ghz)

| 3 × 10 -4 @ 300k, | 0,6 × 10 -4 @ 77k

Farbe und Auftritt

Transparent brünieren basiert auf Vergütungsbedingung

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4.Crystro bietet an:

Größe  Maximales Φ 76.2mm (3" Zoll)
Stärke 0.5mm /1.0 Millimeter
Polnisch Einfach oder doppelt
Crystal Orientation

<100> <110> <111>

Umlenkungspräzision

±0.5°

Umlenkung der Rand

2° (speziell in 1°)

Winkel von kristallenem

Sondergröße und Orientierung sind auf Anfrage verfügbar

Ra

≤5Å (5µm×5µm)

Satz

Class100 saubere Tasche, saubere Tasche der Klasse 1000

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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Kontaktdaten
ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd.

Ansprechpartner: Zheng

Telefon: +86 18255496761

Faxen: 86-551-63840588

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