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Produktdetails:
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| Chemische Formel: | Cer: Gd3Al2Ga3O12 | Wachstumsmethode: | Czochralski |
|---|---|---|---|
| Dichte: | 6.63g/cm3 | Schmelzpunkt: | 1850℃ |
| Lichtausbeute: | >50000 (Photonen/MeV) | Emissions-Spitze: | 520 Nanometer |
| Energie-Entschließung: | <6> | Hygroskopisch: | NEIN |
| Markieren: | einzelner Kristall 520nm GAGG,Cer: Gd3Al2Ga3O12,Einzelner Kristall der Szintillations-GAGG |
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Cer: GAGG-Kristall hat die Eigenschaften der hoher Dichte, der hohen Beförderung, der großen effektiven Ordnungszahl, des Glanzpunktertrags, der schnellen Ausschwingzeit, der guten Energieentschließung und der stabilen körperlichen und chemischen Eigenschaften. Verglichen mit Kristallmaterialien der traditionellen Szintillation, ist die umfassende Leistung ausgezeichneter, und der Preis und die Klimavorteile sind extrem hoch. Sie hat eine breite Palette von Anwendungen auf den Gebieten von CT- und PET-/CTmedizinischer ausrüstung, von Sicherheitsinspektion, von Hochenergiephysik, von Kernphysik, von etc.
| Eigentum | Wert |
|---|---|
| Chemische Formel | Cer: Al2 GA3 O12 Gd3 |
| Ordnungszahl (effektiv) | 54,4 |
| Wachstums-Methode | Czochralski |
| Dichte | 6.63g/cm3 |
| Mohs-Härte | 8 |
| Schmelzpunkt | 1850℃ |
| Thermische Expansions-Koeff. | TBA x 10 ‾ ⁶ |
Ansprechpartner: Zheng
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Faxen: 86-551-63840588
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