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Spinell einzelner Crystal Substrate Single Side Polished des Magnesium-Aluminats-MgAl2O4

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China ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd. zertifizierungen

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Spinell einzelner Crystal Substrate Single Side Polished des Magnesium-Aluminats-MgAl2O4

Name: Spinell einzelner Crystal Substrate Single Side Polished des Magnesium-Aluminats-MgAl2O4
Brand: Crystro
SKU: CRMGAL-2
Rating: 4.5 (186 reviews)

Großes Bild : Spinell einzelner Crystal Substrate Single Side Polished des Magnesium-Aluminats-MgAl2O4

Produktdetails:

Herkunftsort:	CHINA
Markenname:	Crystro
Zertifizierung:	SGS
Modellnummer:	CRMGAL-2

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge:	1-teilig
Preis:	Negotiable
Verpackung Informationen:	Transparenter sauberer Kasten
Lieferzeit:	3-4 Wochen
Zahlungsbedingungen:	T/T, Western Union, Paypal
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:	100 PC pro Woche

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Ausführliche Produkt-Beschreibung

Name:	MgAl2O4	Dichte:	3,60 g/cm3
Härte:	8,0 Mohs	Schmelzpunkt:	℃ 2130
Gitter-Parameter:	ein = 8,083 Å	Rauheit:	Ra<5A (0.5nm)
Tickness:	0,5 oder 1mm oder andere	Polnisches:	Einseitige oder Doppelseiten
Orientierung:	[100] oder [100] oder [111]
Markieren:	MgAl2O4 Spinell einzelner Crystal Substrate , Magnesium-Aluminat einzelner Crystal Substrate , Spinell des Magnesium-Aluminats mgal2o4

Spinell einzelner Crystal Substrate des Magnesium-Aluminats-MgAl2O4

Einleitung des Substrat-1.MgAl2O4

Magnesiumaluminatsspinell (MgAl₂O₄)isteinMischoxidmiteinerKubikstrukturundihmgiltals einausgezeichnetesSubstratmaterial.

EinzelnerKristall MgAl₂O₄(Spinell)istin denGerätenderakustischenWelleundderMikrowelleundinschnellenEpitaxial-SubstratenICsweitverbreitet. GleichzeitigfanddieForschung, dasseseingutesSubstratfürIII-VNitridgeräteist.

2.MgAl2O4 Materialeigenschaften

Chemische Formel	MgAl2O4
Crystal Structure	Kubik, ein = 8,083 Å
Wachstums-Methode	Czochralski
Dielektrizitätskonstanten	9,65
Ausbreitungs-Verlust	6,5 dB/ms
Brechungskoeffizient	1,71
Sendebereich	0.21~5.3 µm
Thermische Expansions-Koeffizient	7,45 × 10^-6/K

3.Applications von MgAl2O4

Substratmaterial für GaN-Filmwachstum
Mikrowellengeräte
Schnelle Epitaxial- Substrate ICs
Massengeräte der akustischen Welle

4. Eigenschaften von MgAl2O4

Stabile optische, dielektrische und chemische Eigenschaften.
Ausgezeichnete körperliche Leistung
Einheitliches theoretisches Getriebe (Ansätze 87% zwischen 0,3 bis 5 Mikrometern)

Spinell einzelner Crystal Substrate Single Side Polished des Magnesium-Aluminats-MgAl2O4 0

Größe und Tag:

Ansprechpartner: Zheng

Telefon: +86 18255496761

Faxen: 86-551-63840588

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