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Produktdetails:
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| Produktname: | Aluminiumoxyd | Chemische Formel: | Al2O3 |
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| Dichte: | 3,97 g/cm3 | Härte: | 9 Mohs |
| Gitter-Parameter: | ein = 4,758 Å c =12.99 Å | Thermische Expansions-Koeffizient (/℃): | 7,5 × 10^-6 |
| Dielektrizitätskonstanten: | 9,4 @300K an einer Achse -11.58@ 300K bei Caxis | Kristallstruktur: | M6 |
| Markieren: | Al2O3 Sapphire Wafer,Sapphire Substrate Wafer,Al2O3 einzelner Crystal Substrate |
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Dünnfilm-Substrat-Aluminiumoxyd Al2O3 einzelner Crystal Substrate Sapphire Wafer
Einleitung:
Al2O3 (Aluminiumoxyd) ist ein ausgezeichnetes supraleitendes Dünnfilmsubstrat. Dieses Material hat viele Vorteile: gute Thermosflaschestabilität,
hohe Wärmeleitfähigkeit und hohe Härte. Er könnte auf vielen anderen Gebieten wie industrielles, Verteidigung und Sicherheit und wissenschaftliche Forschung auch verwendet werden.
| Crystal Structure | M6 | Schmelzpunkt | 2040℃ |
| Dichte | 3,98 g/cm3 | Polnisch | Simplex/doppelte Seite Polier |
| Härte | 9,0 (Mohs) | Umlenkung der Rand | 2° (speziell in 1°) |
| Gitter-Parameter | ein = 4,758 Å c =12.99 Å | Ra | ≤5Å (5µm×5µm) |
| Orientierung |
Ein-Fläche <11-20> M-Fläche <10-10> R-Fläche<1-102> C-Fläche <0001> |
Größe |
5*5*0.5mm 10*10*0.5mm |
Ansprechpartner: Chen Dongdong
Telefon: +86 18326013523
Faxen: 86-551-63840588
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