Produktdetails:
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Produktions-Name: | Ersetzter Gadoliniumgalliumgranat | Lattic-Parameter: | a=12.497Å |
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Wachstumsmethode: | CZ-Methode | Kristallstruktur: | Kubik |
Dichte: | 7.09g/cm3 | Mohs-Härte: | 7,5 |
Schmelzpunkt: | 1730℃ | Brechungskoeffizient: | 1,954 an 1064nm |
Markieren: | Durchmesser 40mm SGGG einzelner Crystal Wafer,SGGG einzelner Crystal Wafer,Oblate des einzelnen Kristall-SGGG |
Einzelne Crystal Wafer For Epitaxial Thin Filme Durchmessers 40mm SGGG
Einleitung:
Einzelner Kristall SGGG, (ersetzte Gadoliniumgalliumgranat), wird durch die Czochralski-Methode gewachsen. SGGG-Substrat ist für das Wachsen von Wismut-ersetzten Epitaxial- Filmen des Eisengranats ausgezeichnet.
Hauptvorteile:
Haupteigenschaften:
Name | Ersetztes GGG |
Crystal Structure | Kubik |
Gitter-Parameter | a=12.497Å |
Wachstums-Methode | Czochralski |
Dichte | 7.09g/cm3 |
Mohs-Härte | 7,5 |
Schmelzpunkt | 1730℃ |
Brechungskoeffizient | 1,954 an 1064nm |
CRYSTRO bietet an:
Größe | MAX Dia 4 Zoll |
Stärke | 0.5mm/1mm |
Polnisch | Einfache oder doppelte Seite |
Orientierung | <111>±0.2° |
Rand-Orientierungsgenauigkeit | 2° (speziell in 1°) |
Ausschnitt | Sondergröße und Orientierung sind auf Anfrage verfügbar |
Ra | ≤1nm |
Paket | 100 saubere Tasche, saubere Tasche 1000 |
Ansprechpartner: Zheng
Telefon: +86 18255496761
Faxen: 86-551-63840588
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