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Epitaxial- Dünnfilm-Durchmesser 40mm SGGG einzelner Crystal Wafer

Bescheinigung
China ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd. zertifizierungen
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Epitaxial- Dünnfilm-Durchmesser 40mm SGGG einzelner Crystal Wafer

Epitaxial- Dünnfilm-Durchmesser 40mm SGGG einzelner Crystal Wafer
Epitaxial- Dünnfilm-Durchmesser 40mm SGGG einzelner Crystal Wafer Epitaxial- Dünnfilm-Durchmesser 40mm SGGG einzelner Crystal Wafer Epitaxial- Dünnfilm-Durchmesser 40mm SGGG einzelner Crystal Wafer

Großes Bild :  Epitaxial- Dünnfilm-Durchmesser 40mm SGGG einzelner Crystal Wafer

Produktdetails:
Herkunftsort: CHINA
Markenname: Crystro
Zertifizierung: SGS
Modellnummer: CRSGGG-3
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1-teilig
Preis: Negotiable
Verpackung Informationen: Transparenter sauberer Kasten
Lieferzeit: 3-4 Wochen
Zahlungsbedingungen: T/T, Western Union, MoneyGram
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 100 PC pro Woche
Ausführliche Produkt-Beschreibung
Produktions-Name: Ersetzter Gadoliniumgalliumgranat Lattic-Parameter: a=12.497Å
Wachstumsmethode: CZ-Methode Kristallstruktur: Kubik
Dichte: 7.09g/cm3 Mohs-Härte: 7,5
Schmelzpunkt: 1730℃ Brechungskoeffizient: 1,954 an 1064nm
Markieren:

Durchmesser 40mm SGGG einzelner Crystal Wafer

,

SGGG einzelner Crystal Wafer

,

Oblate des einzelnen Kristall-SGGG


 

 

 

Einzelne Crystal Wafer For Epitaxial Thin Filme Durchmessers 40mm SGGG

 

Einleitung:

 
Einzelner Kristall SGGG, (ersetzte Gadoliniumgalliumgranat), wird durch die Czochralski-Methode gewachsen. SGGG-Substrat ist für das Wachsen von Wismut-ersetzten Epitaxial- Filmen des Eisengranats ausgezeichnet.
 
 
Hauptvorteile:

  • niedriger optischer Verlust
  • Hohe Wärmeleitfähigkeit
  • Die hohe Laser-Schadenschwelle

 

 
Haupteigenschaften:

NameErsetztes GGG
Crystal Structure Kubik
Gitter-Parametera=12.497Å
Wachstums-MethodeCzochralski
Dichte7.09g/cm3
Mohs-Härte7,5
Schmelzpunkt1730℃
Brechungskoeffizient1,954 an 1064nm

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

CRYSTRO bietet an:

GrößeMAX Dia 4 Zoll
Stärke0.5mm/1mm
PolnischEinfache oder doppelte Seite
Orientierung<111>±0.2°
Rand-Orientierungsgenauigkeit2° (speziell in 1°)
AusschnittSondergröße und Orientierung sind auf Anfrage verfügbar
Ra≤1nm
Paket
100 saubere Tasche, saubere Tasche 1000

Epitaxial- Dünnfilm-Durchmesser 40mm SGGG einzelner Crystal Wafer 0

Kontaktdaten
ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd.

Ansprechpartner: Zheng

Telefon: +86 18255496761

Faxen: 86-551-63840588

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