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Kristall niedriger optischer Verlust-hoher Wärmeleitfähigkeits-einzelner Crystal Wafers SGGG

Bescheinigung
China ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd. zertifizierungen
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Kristall niedriger optischer Verlust-hoher Wärmeleitfähigkeits-einzelner Crystal Wafers SGGG

Kristall niedriger optischer Verlust-hoher Wärmeleitfähigkeits-einzelner Crystal Wafers SGGG
Kristall niedriger optischer Verlust-hoher Wärmeleitfähigkeits-einzelner Crystal Wafers SGGG Kristall niedriger optischer Verlust-hoher Wärmeleitfähigkeits-einzelner Crystal Wafers SGGG Kristall niedriger optischer Verlust-hoher Wärmeleitfähigkeits-einzelner Crystal Wafers SGGG

Großes Bild :  Kristall niedriger optischer Verlust-hoher Wärmeleitfähigkeits-einzelner Crystal Wafers SGGG

Produktdetails:
Herkunftsort: CHINA
Markenname: Crystro
Zertifizierung: SGS
Modellnummer: CRSGGG-8
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1-teilig
Preis: negotiable
Verpackung Informationen: Transparenter sauberer Kasten
Lieferzeit: 3-4 Wochen
Zahlungsbedingungen: T/T, Western Union, MoneyGram
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 100 PC pro Woche
Ausführliche Produkt-Beschreibung
NAME: SGGG-Kristall Dichte: 7.09g/cm3
Mohs-Härte: 7,5 Schmelzpunkt: 1730℃
Lattic-Parameter: a=12.497Å Brechungskoeffizient: 1,954 an 1064nm
Größe: Durchmesser 40 Millimeter Polnisches: ssp oder dsp
Hervorheben:

Niedriger optischer Kristall des Verlust-SGGG

,

Hoher Kristall der Wärmeleitfähigkeits-SGGG

,

Einzelner Crystal Wafer SGGG


 

 

Niedriger optischer Verlust-hohe Wärmeleitfähigkeit SGGG einzelner Crystal Wafer

 

 

Einleitung:

 

SGGG und GGG werden als Substrate für flüssige Epitaxie verwendet. Ersetzte Kristalle des Gadoliniumgallium-Granats (SGGG) mit Kalzium, Magnesium und Zirkonium als Ersetzen von Ionen sind als Substrate für Wismut-ersetzte Epitaxial- Filme des Eisengranats benutzt worden.

 

 

Hauptvorteile:

  • Niedriger optischer Verlust
  • Hohe Wärmeleitfähigkeit
  • Die hohe Laser-Schadenschwelle

 

 

Haupteigenschaften:

 

Name Ersetztes GGG
Crystal Structure Kubik
Gitter-Parameter a=12.497Å
Wachstums-Methode Czochralski
Dichte 7.09g/cm3
Mohs-Härte 7,5
Schmelzpunkt 1730℃
Brechungskoeffizient 1,954 an 1064nm

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

CRYSTRO bietet an:

 

Größe MAX Dia 4 Zoll
Stärke 0.5mm/1mm
Polnisch Einfache oder doppelte Seite
Orientierung <111>±0.2°
Rand-Orientierungsgenauigkeit 2° (speziell in 1°)
Ausschnitt Sondergröße und Orientierung sind auf Anfrage verfügbar
Ra ≤1nm
Paket
100 saubere Tasche, saubere Tasche 1000

 

Kristall niedriger optischer Verlust-hoher Wärmeleitfähigkeits-einzelner Crystal Wafers SGGG 0

Kontaktdaten
ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd.

Ansprechpartner: Zheng

Telefon: +86 18255496761

Faxen: 86-551-63840588

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